PoX: La memoria flash de grafeno que revoluciona la velocidad de almacenamiento
Investigadores de la Universidad de Fudan, en Shanghái, han dado un paso de gigante en el desarrollo de tecnologías de almacenamiento al presentar una nueva memoria flash no volátil denominada PoX (Phase-change Oxide). Este dispositivo es capaz de escribir datos en apenas 400 [...]











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